• 據外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術是基于創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC,XL-Flash將為數據中心和企業存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預計將于下月送樣檢測,或將于2020年量產。

    據東芝存儲器表示,這項技術與英特爾3D Xpoint和三星Z-NAND一樣,XL-Flash屬于持久性存儲器,不僅具有NAND Flash容量存儲的能力,同時性能介于DRAM和NAND之間。雖然能像DRAM易失性存儲解決方案提供應用程序要求苛刻的訪問速度,但達到這種性能的的成本很高。DRAM單位成本限制了其容量的擴展性,新的SCM持久性存儲器解決了密度、成本、性能等問題。

    它是介于DRAM和NAND閃存之間的產品,與傳統的DRAM相比,具有更快的速度、更低的延遲和更高的存儲容量。XL-Flash最初將以SSD產品為部署,但未來也將擴展到DRAM產品線上。 

    2019年09月05日

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    東芝存儲器最新發布XL-Flash技術

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